Ответы на вопросы «Электромагнетизм. § 46. Транзистор»
Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами и тремя выводами для включения в электрическую цепь. Эмиттер является источником свободных электронов, коллектор перехватывает поток носителей заряда, которые идут через базу от эмиттера. База регулирует ток в транзисторе.
2. Объясните распределение электрических зарядов и направления токов в n-p-n-транзисторе (в отсутствие внешнего напряжения и при его наличии).
Электроны двигаются от эммитера к коллектору, следовательно, ток протекает так же.
При включении напряжения электроны диффундируют из эммитера в базу и почти все достигают коллекторного перехода.
3. Объясните распределение электрических зарядов и направления токов в p-n-p-транзисторе (в отсутствие внешнего напряжения и при его наличии).
Основными носителями заряда являются дырки из эммитера, движущиеся к коллектору. В этом же направлении протекают и ток через эммитер.
Эммитер включен в цепь базы и в цепь коллектора. В цепь база -эммитер включен источник слабого переменного сигнала. Небольшое изменение входного напряжения вызовет значительное изменение выходного напряжения.
4. Нарисуйте электрическую схему и объясните принцип работы усилителя на транзисторе. Как определяется коэффициент усиления?
5. Нарисуйте электрическую схему и объясните принцип работы генератора на транзисторе. Объясните назначение обратной связи в генераторе.
Этот прибор генерирует автоколебания. Его основными элементами являются транзистор, колебательный контур, источник постоянного тока.
Обратная связь позволяет корректировать сигнал на выходе системы изменением сигнала на входе.
Источник:
Решебник по физике за 11 класс (Касьянов В.А., 2002 год),
задача №48
к главе «Электромагнетизм. § 46. Транзистор».
Транзисторы
Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности. Наиболее распространенные транзисторы имеют два p-n перехода. В них используются носители заряда обеих полярностей. Такие транзисторы называются биполярными.
Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда обладают проводимостью одинакового типа, противоположного проводимости средней области. Если крайние области обладают электронной проводимостью, а средняя соответственно дырочной, то такой транзистор называется транзистором типа n-p-n. Когда проводимости расположены на оборот — p-n-p типа. Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, аналогичны. Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область называется эмиттером, другая — коллектором. К каждой из областей припаяны выводы, при помощи которых прибор включается в схему. В транзисторе имеются два p-n перехода — эмиттерный (между эмиттером и базой) и коллекторный (между базой и коллектором). Расстояние между ними очень мало — порядка нескольких микрометров.
Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.
Все полевые транзисторы по своим конструктивным особенностям можно разделить на две группы: полевые транзисторы с p-n переходами (канальные, или униполярные, транзисторы) и полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП — транзисторы). Тонкий слой полупроводника типа n (или p), ограниченный с двух сторон электронно — дырочными переходами, называется каналом. Включение канала в электрическую цепь обеспечивается с помощью двух электродов, один из которых называется истоком, а второй — стоком. Вывод, подсоединенный к областям p-типа, является управляющим электродом и называется затвором. Выводы исток, сток, затвор соответствуют эмиттеру, коллектору и базе обычного биполярного транзистора.
-
- Магазины и оптовые отделы
- Видео
- Новости
- Каталог производителей
- Каталоги автозапчастей
- Акции и спецпредложения
- Калькуляторы
- Обратная связь
- История компании
- «ЧИП и ДИП» сегодня
- 28 лет в сфере e-com
- Контактная информация
- Реквизиты АО «ЧИП и ДИП»
- Дистрибьюция
- Планируете стать поставщиком?
- Работа в «ЧИП и ДИП»
- Как сделать заказ
- Способы доставки
- Способы оплаты
- Состояние заказа
- Редактирование заказа
- Возврат и обмен товара
- Для юридических лиц
Полупроводниковые приборы — виды, обзор и использование
Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу которой составляют полупроводниковые приборы . Поэтому, для понимания процессов функционирования электронных устройств необходимо знание устройства и принципа действия основных типов полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками.
Основными материалами для производства полупроводниковых приборов являются кремний (Si), карбид кремния (SiС), соединения галлия и индия.
Электропроводность полупроводников зависит от наличия примесей и внешних энергетических воздействий (температуры, излучения, давления и т.д.). Протекание тока обуславливают два типа носителей заряда – электроны и дырки. В зависимости от химического состава различают чистые и примесные полупроводники.
Для изготовления электронных приборов используют твердые полупроводники, имеющие кристаллическое строение.
Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводниковых материалов.
Классификация полупроводниковых приборов
На основе беспереходных полупроводников изготавливаются полупроводниковые резисторы :
Линейный резистор — удельное сопротивление мало зависит от напряжения и тока. Является «элементом» интегральных микросхемах.
Варистор — сопротивление зависит от приложенного напряжения.
Терморезистор — сопротивление зависит от температуры. Различают два типа: термистор (с увеличением температуры сопротивление падает) и позисторы (с увеличением температуры сопротивление возрастает).
Фоторезистор — сопротивление зависит от освещенности (излучения). Тензорезистор — сопротивление зависит от механических деформаций.
Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основывается на свойствах электронно-дырочного перехода p-n – перехода .
Это полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами, работа которого основана на свойствах p-n — перехода.
Основным свойством p-n – перехода является односторонняя проводимость – ток протекает только в одну сторону. Условно-графическое обозначение (УГО) диода имеет форму стрелки, которая и указывает направление протекания тока через прибор.
Конструктивно диод состоит из p-n-перехода, заключенного в корпус (за исключением микромодульных бескорпусных) и двух выводов: от p-области – анод, от n-области – катод.
Т.е. диод – это полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении – от анода к катоду.
Зависимость тока через прибор от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ) прибора I=f(U). Односторонняя проводимость диода видна из его ВАХ (рис. 1).
Рисунок 1 – Вольт-амперная характеристика диода
В зависимости от назначения полупроводниковые диоды подразделяют на выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны и стабисторы, туннельные и обращенные диоды, светодиоды и фотодиоды.
Односторонняя проводимость определяет выпрямительные свойства диода. При прямом включении («+» на анод и «-» на катод) диод открыт и через него протекает достаточно большой прямой ток. В обратном включении («-» на анод и «+» на катод) диод заперт, но протекает малый обратный ток.
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока низкой частоты (обычно менее 50 кГц) в постоянны, т.е. для выпрямления. Их основными параметрами являются максимально допустимый прямой ток Iпр mах и максимально допустимое обратное напряжение Uo6p max. Данные параметры называют предельными – их превышение может частично или полностью вывести прибор из строя.
С целью увеличения этих параметров изготавливают диодные столбы, сборки, матрицы, представляющие собой последовательно-параллальное, мостовое или другие соединения p-n-переходов.
Универсальные диоды служат для выпрямления токов в широком диапазоне частот (до нескольких сотен мегагерц). Параметры этих диодов те же, что и у выпрямительных, только вводятся еще дополнительные: максимальная рабочая частота (мГц) и емкость диода (пФ).
Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсного сигнала, применяются в быстродействующих импульсных схемах. Требования, предъявляемые к этим диодам, связаны с обеспечением быстрой реакции прибора на импульсный характер подводимого напряжения — малым временем перехода диода из закрытого состояния в открытое и обратно.
Стабилитроны — это полупроводниковые диоды, падение напряжения на которых мало зависит от протекающего тока. Служат для стабилизации напряжения.
Варикапы — принцип действия основан на свойстве p-n-перехода изменять значение барьерной емкости при изменении на нем величины обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной емкости, управляемых напряжением. В схемах варикапы включаются в обратном направлении.
Светодиоды — это полупроводниковые диоды, принцип действия которых основан на излучении p-n-переходом света при прохождении через него прямого тока.
Фотодиоды – обратный ток зависит от освещенности p-n-перехода.
Диоды Шоттки – основаны на переходе металл-полупроводник, за счет чего обладают значительно более высоким быстродействием, нежели обычные диоды.
Рисунок 2 – Условно-графическое обозначение диоды
Подробнее о диодах смотрите здесь:
Транзистор — это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей.
Отличительной особенностью транзистора является способность усиливать напряжение и ток — действующие на входе транзистора напряжения и токи приводят к появлению на его выходе напряжений и токов значительно большей величины.
С распространением цифровой электроники и импульсных схем основным свойством транзистора является его способность находиться в открытом и закрытом состояниях под действием управляющего сигнала.
Свое название транзистор получил от сокращения двух английских слов tran(sfer) (re)sistor — управляемый резистор. Это название неслучайно, так как под действием приложенного к транзистору входного напряжения сопротивление между его выходными зажимами может регулироваться в очень широких пределах.
Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения.
— по принципу действия: полевые (униполярные), биполярные, комбинированные.
— по значению рассеиваемой мощности: малой, средней и большой.
— по значению предельной частоты: низко-, средне-, высоко- и сверхвысокочастотные.
— по значению рабочего напряжения: низко- и высоковольтные.
— по функциональному назначению: универсальные, усилительные, ключевые и др.
— по конструктивному исполнению: бескорпусные и в корпусном исполнении, с жесткими и гибкими выводами.
В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах:
1) Активный режим — используется для усиления электрических сигналов в аналоговых устройствах. Сопротивление транзистора изменяется от нуля до максимального значения — говорят транзистор «приоткрывается» или «подзакрывается».
2) Режим насыщения — сопротивление транзистора стремится к нулю. При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле.
3) Режим отсечки — транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением, т.е. он эквивалентен разомкнутому контакту реле.
Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах.
Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами и тремя выводами, обеспечивающей усиление мощности электрических сигналов.
В биполярных транзисторах ток обусловлен движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок, что и определяет их название.
На схемах транзисторы допускается изображать, как в окружности, так и без неё (рис. 3). Стрелка указывает направление протекания тока в транзисторе.
Рисунок 3 — Условно — графическое обозначения транзисторов n-p-n (а) и p-n-p (б)
Основой транзистора является пластина полупроводника, в которой сформированы три участка с чередующимся типом проводимости — электронным и дырочным. В зависимости от чередования слоев различают два вида структуры транзисторов: n-p-n (рис. 3, а) и p-n-p (рис. 3, б).
Эмиттер (Э) — слой, являющийся источником носителей заряда (электронов или дырок) и создающий ток прибора;
Коллектор (К) – слой, принимающий носители заряда, поступающие от эмиттера;
База (Б) — средний слой, управляющий током транзистора.
При включении транзистора в электрическую цепь один из его электродов является входным (включается источник входного переменного сигнала), другой — выходным (включается нагрузка), третий электрод — общий относительно входа и выхода. В большинстве случаев используется схема с общим эмиттером (рис 4). На базу подается напряжение не более 1 В, на коллектор более 1 В, например +5 В, +12 В, +24 В и т.п.
Рисунок 4 – Схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером
Ток коллектора возникает только при протекании тока базы Iб (определяется Uбэ). Чем больше Iб, тем больше Iк. Iб измеряется в единицах мА, а ток коллектора — в десятках и сотнях мА, т.е. IбIк. Поэтому при подаче на базу переменного сигнала малой амплитуды, малый Iб будет изменяться, и пропорционально ему будет изменяться большой Iк. При включении в цепь коллектора сопротивления нагрузки, на нем будет выделяться сигнал, повторяющий по форме входной, но большей амплитуды, т.е. усиленный сигнал.
К числу предельно допустимых параметров транзисторов в первую очередь относятся: максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.mах, напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ.mах, ток коллектора Iк.mах.
Для повышения предельных параметров выпускаются транзисторные сборки, которые могут насчитывать до нескольких сотен параллельно соединенных транзисторов, заключенных в один корпус.
Биполярные транзисторы ныне используются все реже и реже, особенно в импульсной силовой технике. Их место занимают полевые транзисторы MOSFET и комбинированные транзисторы IGBT , имеющие в этой области электроники несомненные преимущества.
В полевых транзисторах ток определяется движением носителей только одного знака (электронами или дырками). В отличии от биполярных, ток транзистора управляется электрическим полем, которое изменяет сечение проводящего канала.
Так как нет протекания тока во входной цепи, то и потребляемая мощность из этой цепи практически равна нулю, что несомненно является достоинством полевого транзистора.
Конструктивно транзистор состоит из проводящего канала n- или p-типа, на концах которого находятся области: исток, испускающий носители заряда и сток, принимающий носители. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором.
Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, регулирующий ток в цепи за счет изменения сечения проводящего канала.
Различают полевые транзисторы с затвором в виде p-n перехода и с изолированным затвором.
У полевых транзисторов с изолированным затвором между полупроводниковым каналом и металлическим затвором расположен изолирующий слой из диэлектрика — МДП-транзисторы (металл — диэлектрик — полупроводник), частный случай — окисел кремния — МОП-транзисторы.
МДП-транзистор со встроенным каналом имеет начальную проводимость, которая при отсутствии входного сигнала (Uзи = 0) составляет примерно половине от максимальной. В МДП-транзисторы с индуцированным каналом при напряжении Uзи=0 выходной ток отсутствует, Iс =0, так как проводящего канала изначально нет.
МДП-транзисторы с индуцированным каналом называют также MOSFET транзисторы. Используются в основном в качестве ключевых элементов, например в импульсных источниках питания.
Ключевые элементы на МДП-транзисторах имеют ряд преимуществ: цепь сигнала гальванически не связана с источником управляющего воздействия, цепь управления не потребляет тока, обладают двухсторонней проводимостью. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не боятся перегрева.
Подробнее о транзисторах смотрите здесь:
Тиристор — это полупроводниковый прибор, работающие в двух устойчивых состояниях – низкой проводимости (тиристор закрыт) и высокой проводимости (тиристор открыт). Конструктивно тиристор имеет три или более p-n – переходов и три вывода.
Кроме анода и катода, в конструкции тиристора предусмотрен третий вывод (электрод), который называется управляющим.
Тиристор предназначен для бесконтактной коммутации (включения и выключения) электрических цепей. Характеризуются высоким быстродействием и способностью коммутировать токи весьма значительной величины (до 1000 А). Постепенно вытесняются коммутационными транзисторами.
Рисунок 5 — Условно — графическое обозначение тиристоров
Динисторы (двухэлектродные) — как и обычные выпрямительные диоды имеют анод и катод. С увеличением прямого напряжения при определенном значении Ua = Uвкл динистор открывается.
Тиристоры (тринисторы — трехэлектродные) — имеют дополнительный управляющий электрод; Uвкл изменяется током управления, протекающим через управляющий электрод.
Для перевода тиристора в закрытое состояние необходимо подать напряжение обратное (- на анод, + на катод) или уменьшить прямой ток ниже значения, называемого током удержания Iудер.
Запираемый тиристор – может быть переведен в закрытое состояние подачей управляющего импульса обратной полярности.
Симисторы (симметричные тиристоры) — проводят ток в обоих направлениях.
Тиристоры применяются в качестве бесконтактных переключателей и управляемых выпрямителей в устройствах автоматики и преобразователях электрического тока. В цепях переменного и импульсных токов можно изменять время открытого состояния тиристора, а значит и время протекания тока через нагрузку. Это позволяет регулировать мощность, выделяемую в нагрузке.
Телеграмм канал для тех, кто каждый день хочет узнавать новое и интересное: Школа для электрика
Если Вам понравилась эта статья, поделитесь ссылкой на неё в социальных сетях. Это сильно поможет развитию нашего сайта!
Не пропустите обновления, подпишитесь на наши соцсети:
Транзистор
Транзи́стор (англ. transistor) или полупроводниковый триод — электронное устройство, позволяющее управлять протекающим в электрической цепи током. Cоздание транзистора справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир. Оно было отмечено Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли [1] .
Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна
Название происходит от двух английских слов — transfer (переносить) и resistor (сопротивление), что можно буквально перевести, как «переходное сопротивление», хотя для понимания принципа работы прибора в электрической цепи удобнее применить смысловой перевод «регулируемое сопротивление».
Транзисторы используются в электронных схемах, предназначенных для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Транзисторы в режиме работы «электронного ключа» являются основным компонентом получивших широкое распространение цифровых интегральных микросхем.
Свойства полупроводников
Начало изобретению транзистора, как и созданию всей современной элементной базы электронных устройств, было положено после открытия материалов, по удельной проводимости занимающих промежуточное положение между проводниками и диэлектриками [2] , и получивших название полупроводников. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений.
Помимо этого, проводящими свойствами полупроводников можно управлять, добавляя в основной материал определённые примеси и создавая так называемую примесную проводимость.
Существует два вида примеси: донорная и акцепторная [3] :
- Донорной называют примесь, легко отдающую свои электроны в качестве свободных электронов проводимости. Это происходит тогда, когда число валентных электронов добавляемой к чистому полупроводнику примеси оказывается больше числа валентных электронов самого полупроводника, тем самым в полупроводниках с донорной примесью основными носителями заряда являются электроны. Подобные полупроводники, называются полупроводниками n-типа (n— negative) [3] .
- Акцепторной называют примесь, когда число валентных электронов примеси оказывается меньше числа валентных электронов самого полупроводника, оттого в полупроводниках с акцепторной примесью основными носителями заряда являются дырки. («Дырка» образуется в атоме, «потерявшем» электрон. Термин устоялся и стал официальным). Полупроводники, основными носителями заряда в котором являются дырки, называются полупроводниками р-типа (р — positive) [3] .
Электронно-дырочный переход (p-n переход)
Схематичное изображение р—n-перехода с распределением носителей зарядов
Если между двумя полупроводниками c разными типами проводимости установить пограничный контакт, то основные носители тока — дырки в р-области и свободные электроны в n-области — диффундируют из одной области в другую. Вследствие рекомбинации (взаимной нейтрализации зарядов) электронов и дырок между областями р и n образуется тонкий слой полупроводника, обедненный носителями заряда — р—n переход. В зоне р—n перехода возникает электрическое поле, направленное из n-области к p-области и препятствующее дальнейшей диффузии дырок и электронов. Образуется так называемый потенциальный барьер.
Если к р-области присоединить отрицательный полюс источника постоянного напряжения, а к n-облаcти положительный, то потенциальный барьер возрастет на величину приложенного напряжения и основные носители тока не смогут проходить через р—n переход. Если же наоборот, к р-области присоединить положительный, а к n-облаcти отрицательный полюс источника, то потенциальный барьер снизится и основные носители тока получат возможность проходить через р—n переход [4] .
Таким образом, основным свойством р—n перехода является односторонняя проводимость.
История создания транзистора
Ключом к созданию транзистора стало дальнейшее изучение процесса подвижности электронов в полупроводнике. Было понятно, что если найти какой-то способ посредством малого входного сигнала контролировать поток электронов между р и n полюсами, то можно построить усилитель. Напрашивался третий контакт, встроенный в точку (отдельную зону) между полюсами, который мог бы управлять проводимостью прибора наподобие управляющей сетки электровакуумного (лампового) триода.
В 1923 году советский инженер Олег Лосев обнаружил, что особый режим работы точечного кристаллического детектора, который представляет собой кристалл какого-либо полупроводника, в который упирается тонкая проволочка из металла, обеспечивает усиление сигнала (кристадин Лосева) [5] . Однако это открытие применялось редко, в основном среди радиолюбителей, поскольку точку соприкосновения проволоки и кристалла надо было находить опытным путём и коэффициент усиления был величиной непостоянной.
В 1930-е годы первую известную попытку создания кристаллического усилителя предпринял немецкий физик Юлиус Лилиенфельд, запатентовавший своё устройство [6] ; в те же годы немецкий учёный Оскар Хейл и немецкий физик Роберт Поль создали действующие образцы кристаллических усилителей, однако построить устойчиво работающие приборы не удавалось, так как в то время еще не было достаточно чистых материалов и технологий их обработки.
Схематичное изображение конструкции точечного транзистора
Бардин, Шокли и Браттейн в лаборатории Bell, 1948 год
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн и физик-теоретик Джон Бардин, работавшие в кампании Bell Labs, собрали первый работоспособный точечный транзистор с коэффициентом усиления по напряжению 15, а по мощности 1,3 [7] .
Параллельно с Bell Labs точечный транзистор под названием «транзитрон» создали немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велкер в парижском филиале компании Westinghouse при поддержке французского правительства. Патент на это устройство был оформлен на шесть месяцев позже патента Бардина и Браттейна.
Однако выпуск точечных транзисторов был сложным в производстве и сопровождался большим браком. На смену им пришли транзисторы с плоскостным биполярным переходом, имевшие гораздо лучшие характеристики [7] , а впоследствии были созданы и получили самое широкое распространение полевые транзисторы.
Плоскостной биполярный транзистор
В январе 1948 года американский учёный-физик Уильям Шокли изобрёл плоскостной двухпереходный p—n—p транзистор, а затем подвёл под своё изобретение научную теорию, объяснявшую его работу [8] ; 30 июня 1948 года в нью-йоркском офисе Bell Labs изобретение было впервые продемонстрировано руководству компании [1] .
Осмысливая накопленный опыт, Шокли по-новому взглянул на точечный и плоскостный полупроводниковые диоды. Поскольку точечный транзистор представляет собой два сближенных точечных диода, Шокли провел теоретическое исследования пары сближенных плоскостных диодов и создал основы теории плоскостного биполярного транзистора в кристалле полупроводника, содержащем два р—n-перехода. Основой изготовления биполярного транзистора является создание среднего слоя, базы, такого тонкого, насколько это возможно без замыкания внешних слоев. Одна из р-областей в таком транзисторе является генератором носителей заряда, которые формируют рабочий ток, она называется эмиттером (англ.emitter — излучатель), вторая р-область называется коллектор (англ.collector — собиратель), промежуточная, управляющая n-область представляет собой базу транзистора.
Таким образом, в транзисторе вместо металлических точечных контактов используются две пограничные плоскостные (планарные) p—n и n—p области [9] . Принцип работы биполярного транзистора основан на регулировании тока, протекающего между эмиттером и коллектором, током базы, причём перенос заряда осуществляется разнополярными носителями — электронами и дырками [10] .
С точки зрения типов проводимостей (p или n) эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования, что позволяет улучшить электрические параметры прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение, эмиттерный слой легируется сильно. Слой базы также легируется слабо, поскольку располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.
Если применить легирование внешних слоёв и базы обратными видами примесей, транзистор будет иметь структуру n—p—n. Принцип работы прибора и название слоёв не меняются, меняется полярность подключения электродов в схеме. Транзисторы со структурой p—n—p получили название транзисторов прямой проводимости, тогда как транзисторы со структурой n-p-n называются транзисторами обратной проводимости.
-
Схематичное изображение слоёв в планарных транзисторах типов p-n-p и n-p-n